|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 44 gevonden artikelen
| Titel: |
Comparative study of I-V characteristics of the ICB deposited Ag\n-Si(111) and Ag\p-Si(100) Schottky junctions |
| Auteur: |
Cvikl, B Koros̆ak, D Horváth, Zs J |
| Verschenen in: |
Vacuum |
| Paginering: | Jaargang 50 (1998) nr. 3-4 pagina's 9 p. |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 44 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |