|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 17 van 47 gevonden artikelen
| Titel: |
Highly flat Ge x Si1−x /Si heterointerfaces grown by molecular beam epitaxy in two-dimensional growth mode |
| Auteur: |
Wei, X Zhou, GL Zhou, TC Sheng, C Yu, MR Wang, Xun |
| Verschenen in: |
Vacuum |
| Paginering: | Jaargang 43 (1992) nr. 11 pagina's 3 p. |
| Jaar: |
1992 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 17 van 47 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |