|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 62 gevonden artikelen
| Titel: |
Accelerated-ion beam doping during Si growth by molecular beam epitaxy and ion-enhanced In film deposition using a low-energy (40–300 eV) In ion source |
| Auteur: | |
| Verschenen in: |
Vacuum |
| Paginering: | Jaargang 36 (1986) nr. 11-12 pagina's 2 p. |
| Jaar: |
1986 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 62 gevonden artikelen
| volgende >> |