|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 98 van 192 gevonden artikelen
| Titel: |
Lattice location and ionization induced annealing of self-interstitials in boron-implanted silicon by Rutherford backscattering. |
| Auteur: | |
| Verschenen in: |
Vacuum |
| Paginering: | Jaargang 28 (1978) nr. 2 pagina's 1 p. |
| Jaar: |
1978 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Pergamon Press Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 98 van 192 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |