|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 29 van 63 gevonden artikelen
| Titel: |
Gate trench dry etching technology with damage blocking layer for GaN HEMT devices |
| Auteur: |
Guo, Jiaqi Wei, Ke Zhang, Sheng He, Xiaoqiang Zhang, Yichuan Zhang, Ruizhe Wang, Kaiyu Wang, Jianchao Zhou, Ailing Huang, Sen Zheng, Yingkui Chen, Xiaojuan Wang, Xinhua Liu, Xinyu |
| Verschenen in: |
Vacuum |
| Paginering: | Jaargang 226 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 29 van 63 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |