|
Investigation into the growth mode of GaN thin films on 4H–SiC substrates via plasma-enhanced atomic layer deposition |
|
|
|
Titel: |
Investigation into the growth mode of GaN thin films on 4H–SiC substrates via plasma-enhanced atomic layer deposition |
Auteur: |
Yang, Jin Qiu, Peng Li, Ye Du, Mengchao Kong, Delin Qiu, Hongyu Hu, Yuyu Li, Peipei Wei, Huiyun Peng, Mingzeng Zheng, Xinhe |
Verschenen in: |
Vacuum |
Paginering: |
Jaargang 221 () nr. C pagina's p. |
Jaar: |
2024 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|