|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 20 van 86 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of basal plane bending on the atomic step morphology of the 4H–SiC substrate surface |
| Auteur: |
Shao, Chen Guo, Fenglin Chen, Xiufang Li, Xiaomeng Yu, Wancheng Yang, Xianglong Xie, Xuejian Hu, Xiaobo Xu, Xiangang |
| Verschenen in: |
Vacuum |
| Paginering: | Jaargang 212 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 20 van 86 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |