|
Electrically tunable bandgaps for g-ZnO/ZnX (X = S, Se, Te) 2D semiconductor bilayers |
|
|
|
Titel: |
Electrically tunable bandgaps for g-ZnO/ZnX (X = S, Se, Te) 2D semiconductor bilayers |
Auteur: |
Lin, Che-Min Chang, Chun-Fu Hsieh, Wan-Chen Chang, Ching-Wen Zheng, Yu-yuan Yeh, Sung-Wei Su, Chun-Jung Lin, Yu-Chiao Yu, Yu-Hsuan Chen, Chien-Wei Kei, Chi-Chung Liao, Chih-Hsiung Huang, Kung-Shiuh Huang, Kuan-Tsae Chen, Di Chu, Wei-Kan Tu, Li-Wei Wadekar, Paritosh V. Leung, Tsan-Chuen Seo, Hye-Won Liaw, Bor-Yann Chen, Quark Yungsung |
Verschenen in: |
Vacuum |
Paginering: |
Jaargang 192 () nr. C pagina's p. |
Jaar: |
2021 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier Ltd |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|