|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 80 van 80 gevonden artikelen
| Titel: |
Well-suppressed interface states and improved transport properties of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with PEALD SiN gate dielectric |
| Auteur: |
Zhang, S. Wei, K. Zhang, Y.C. Chen, X.J. Huang, S. Yin, H.B. Liu, G.G. Yuan, T.T. Zheng, Y.K. Wang, X.H. Liu, X.Y. |
| Verschenen in: |
Vacuum |
| Paginering: | Jaargang 191 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 80 van 80 gevonden artikelen
| << vorige |