|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 39 van 79 gevonden artikelen
| Titel: |
Improved electrical characteristics of Ge nMOSFET with suitable nitrogen content in starting interfacial layer |
| Auteur: |
Ruan, Dun-Bao Chang-Liao, Kuei-Shu Hsu, Wen-Yen Yi, Shih-Han |
| Verschenen in: |
Vacuum |
| Paginering: | Jaargang 181 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 39 van 79 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |
Toegankelijkheidsverklaring