|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 48 van 48 gevonden artikelen
| Titel: |
Well-behaved Ge n+/p shallow junction achieved by plasma immersion ion implantation |
| Auteur: |
Chen, Yi-Ju Liao, Hsiu-Hsien Tsui, Bing-Yue Lee, Yao-Jen Wang, Chih-Jen Sung, Po-Jung |
| Verschenen in: |
Vacuum |
| Paginering: | Jaargang 180 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 48 van 48 gevonden artikelen
| << vorige |