|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 31 van 72 gevonden artikelen
| Titel: |
Improved interfacial properties of thermal atomic layer deposited AlN on GaN |
| Auteur: |
Kim, Hogyoung Kim, Nam Do An, Sang Chul Yoon, Hee Ju Choi, Byung Joon |
| Verschenen in: |
Vacuum |
| Paginering: | Jaargang 159 (2019) nr. C pagina's 379-381 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 31 van 72 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |