|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 64 gevonden artikelen
| Titel: |
Elevated-temperature etching of gallium nitride (GaN) in dual-frequency capacitively coupled plasma of CH4/H2 at 300–500 °C |
| Auteur: |
Kako, Takashi Liu, Zecheng Ishikawa, Kenji Kondo, Hiroki Oda, Osamu Sekine, Makoto Hori, Masaru |
| Verschenen in: |
Vacuum |
| Paginering: | Jaargang 156 (2018) nr. C pagina's 219-223 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 64 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |