|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 23 gevonden artikelen
| Titel: |
Growth of high quality N-polar n-GaN on vicinal C-face n-SiC substrates for vertical conducting devices |
| Auteur: |
Deng, Gaoqiang Zhang, Yuantao Huang, Zhen Li, Baozhu Zhang, Baolin Du, Guotong |
| Verschenen in: |
Vacuum |
| Paginering: | Jaargang 130 (2016) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 23 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |