|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 16 van 34 gevonden artikelen
| Titel: |
Nitrogen-concentration modulated interface quality, band alignment and electrical properties of HfTiON/Ge gate stack pretreated by trimethylaluminum precursor |
| Auteur: |
Gao, J. He, G. Xiao, D.Q. Jiang, S.S. Lv, J.G. Cheng, C. Sun, Z.Q. |
| Verschenen in: |
Materials research bulletin |
| Paginering: | Jaargang 91 (2017) nr. C pagina's 166-172 |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 16 van 34 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |