|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 20 van 45 gevonden artikelen
| Titel: |
High nitrogen composition–induced low interfacial roughness of GaAs0.978N0.022/GaAs multiple quantum wells grown through solid-source molecular beam epitaxy |
| Auteur: |
Biswas, Mahitosh Tongbram, Binita Shinde, Nilesh Makkar, Roshan Lal Bhatnagar, Anuj Chakrabarti, Subhananda |
| Verschenen in: |
Materials research bulletin |
| Paginering: | Jaargang 88 (2017) nr. C pagina's 242-247 |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 20 van 45 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |