|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 147 gevonden artikelen
| Titel: |
A detailed investigation on the impact of post-growth annealing on the materials and device characteristics of 35-layer In0.50Ga0.50As/GaAs quantum dot infrared photodetector with quaternary In0.21Al0.21Ga0.58As capping |
| Auteur: |
Adhikary, Sourav Chakrabarti, Subhananda |
| Verschenen in: |
Materials research bulletin |
| Paginering: | Jaargang 47 (2012) nr. 11 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 147 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |