|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 41 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of post-growth rapid thermal annealing on bilayer InAs/GaAs quantum dot heterostructure grown with very thin spacer thickness |
| Auteur: |
Sengupta, S. Halder, N. Chakrabarti, S. |
| Verschenen in: |
Materials research bulletin |
| Paginering: | Jaargang 45 (2010) nr. 11 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 41 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |