|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
Contrast of latch-up induced by pulsed gamma rays in CMOS circuits after neutron irradiation and TID accumulation |
| Auteur: |
Li, Ruibin He, Chaohui Chen, Wei Liu, Yan Li, Junlin Guo, Xiaoqiang Yang, Shanchao |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 98 (2019) nr. C pagina's 42-48 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |