|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of bipolar amplification due to heavy-ion irradiation in 45 nm FDSOI MOSFET with thin BOX and ground plane |
| Auteur: |
K.R., Pasupathy B., Bindu |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 98 (2019) nr. C pagina's 56-62 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |