|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 22 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
SiO2 tunneling and Si3N4/HfO2 trapping layers formed with low temperature processes on gate-all-around junctionless charge-trapping flash memory devices |
| Auteur: |
Fang, Hsin-Kai Chang-Liao, Kuei-Shu Cheng, Chia-Hsin Lin, Po-Yao Huang, Wen-Hsien Shen, Chang-Hong Shieh, Jia-Min |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 91 (2018) nr. P2 pagina's 319-322 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 22 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |