|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 25 van 46 gevonden artikelen
| Titel: |
Investigation of BTI characteristics and its behavior on 10nm SRAM with high-k/metal gate FinFET technology having multi-VT gate stack |
| Auteur: |
Jin, Minjung Kim, Kangjung Kim, Yoohwan Shim, Hyewon Kim, Jinju Kim, Gunrae Pae, Sangwoo |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 81 (2018) nr. C pagina's 201-209 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 25 van 46 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |