|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 39 gevonden artikelen
| Titel: |
Degradation mechanisms of AlGaN/GaN HEMTs under 800MeV Bi ions irradiation |
| Auteur: |
Lei, Z.F. Guo, H.X. Tang, M.H. Zeng, C. Zhang, Z.G. Chen, H. En, Y.F. Huang, Y. Chen, Y.Q. Peng, C. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 80 (2018) nr. C pagina's 312-316 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 39 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |