|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 30 van 66 gevonden artikelen
| Titel: |
Improved reliability characteristics of Ge MOS devices by capping Hf or Zr on interfacial layer |
| Auteur: |
Li, Yan-Lin Chang-Liao, Kuei-Shu Chang, Yu-Wei Huang, Tse-Jung Li, Chen-Chien Gu, Zhao-Chen Chen, Po-Yen Wu, Tzung-Yu Huang, Jiayi Chu, Fu-Chuan Yi, Shih-Han |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 79 (2017) nr. C pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 30 van 66 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |