|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 51 van 87 gevonden artikelen
| Titel: |
Numerical investigation for a Grounded Gate NMOS Transistor under electrostatic discharge (ESD) through TLP method |
| Auteur: |
Galy, P. Berland, V. Foucher, B. Lombaert-Valot, I. Guilhaume, A. Chante, J.P. Dufrenne, S. Bardy, S. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 40 (2000) nr. 8-10 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2000 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 51 van 87 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |