|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 65 van 97 gevonden artikelen
| Titel: |
Resistivity, mobility and impurity levels in GaAs, Ge and Si at 300°K |
| Auteur: | |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 7 (1968) nr. 4 pagina's 1 p. |
| Jaar: |
1968 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 65 van 97 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |