|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 30 van 40 gevonden artikelen
| Titel: |
Read static noise margin aging model considering SBD and BTI effects for FinFET SRAMs |
| Auteur: |
Mehrabi, Kolsoom Ebrahimi, Behzad Yarmand, Roohollah Afzali-Kusha, Ali Mahmoodi, Hamid |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 65 (2016) nr. C pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 30 van 40 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |