|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 122 van 136 gevonden artikelen
| Titel: |
Role of two-dimensional electron gas (2DEG) in AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) ON-state degradation |
| Auteur: |
Syaranamual, G.J. Sasangka, W.A. Made, R.I. Arulkumaran, S. Ng, G.I. Foo, S.C. Gan, C.L. Thompson, C.V. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 64 (2016) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 122 van 136 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |