|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 115 van 136 gevonden artikelen
| Titel: |
Reliability assessment of ultra-short gate length AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate by on-state step stress |
| Auteur: |
Lakhdhar, H. Labat, N. Curutchet, A. Defrance, N. Lesecq, M. De Jaeger, J.-C. Malbert, N. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 64 (2016) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 115 van 136 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |