|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 18 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
La2O3 gate dielectrics for AlGaN/GaN HEMT |
| Auteur: |
Chen, J. Kawanago, T. Wakabayashi, H. Tsutsui, K. Iwai, H. Nohata, D. Nohira, H. Kakushima, K. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 60 (2016) nr. C pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 18 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |