|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 16 van 29 gevonden artikelen
| Titel: |
Normally-off GaN-HEMTs with p-type gate: Off-state degradation, forward gate stress and ESD failure |
| Auteur: |
Meneghini, M. Hilt, O. Fleury, C. Silvestri, R. Capriotti, M. Strasser, G. Pogany, D. Bahat-Treidel, E. Brunner, F. Knauer, A. Würfl, J. Rossetto, I. Zanoni, E. Meneghesso, G. Dalcanale, S. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 58 (2016) nr. C pagina's 8 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 16 van 29 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |