|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 29 gevonden artikelen
| Titel: |
A methodology for projecting SiO2 thick gate oxide reliability on trench power MOSFETs and its application on MOSFETs VGS rating |
| Auteur: |
Efthymiou, E. Rutter, P. Whiteley, P. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 58 (2016) nr. C pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 29 gevonden artikelen
| volgende >> |