|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 15 van 32 gevonden artikelen
| Titel: |
Hot electrons induced degradation in lattice-matched InAlN/GaN high electron mobility transistors |
| Auteur: |
Ren, Jian Yan, Dawei Mou, Wenjie Zhai, Yang Yang, Guofeng Gu, Xiaofeng |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 56 (2016) nr. C pagina's 3 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 15 van 32 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |