|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 17 van 21 gevonden artikelen
| Titel: |
Potentiality of trap charge effects and SiON induced interface defects in a-Si3N4/SiON based MIS structure for resistive NVM device |
| Auteur: |
Dinara, Syed Mukulika Ghosh, Saptarsi Halder, Nripendra N. Bag, Ankush Bhattacharya, Sekhar Biswas, D. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 55 (2015) nr. 5 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 17 van 21 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |