|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 26 van 33 gevonden artikelen
| Titel: |
MOSFET channel resistance characterization from the triode region to impact ionization region with the inductive breakdown network |
| Auteur: |
Lee, Chie-In Lin, Wei-Cheng |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 55 (2015) nr. 3-4 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 26 van 33 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |