|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 141 gevonden artikelen
| Titel: |
A quantitative study of Phosphorous implantation damage on the thick gate oxide of the 28nm node |
| Auteur: |
Wan, Xinggong Chandrashekhar, Sandhya Bayha, Boris Trentzsch, Martin Balzer, Torben Siddabathula, Mahesh Aubel, Oliver |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 54 (2014) nr. 9-10 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 141 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |