|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 43 gevonden artikelen
| Titel: |
A study on the electrical characteristics of InGaZnO thin-film transistor with HfLaO gate dielectric annealed in different gases |
| Auteur: |
Qian, L.X. Lai, P.T. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 54 (2014) nr. 11 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 43 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |