|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 27 van 43 gevonden artikelen
| Titel: |
New insight on negative bias temperature instability degradation with drain bias of 28nm High-K Metal Gate p-MOSFET devices |
| Auteur: |
Liao, Miao Gan, Zhenghao |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 54 (2014) nr. 11 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 27 van 43 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |