|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 23 van 49 gevonden artikelen
| Titel: |
Investigation of the threshold voltage turn-around effect in long-channel n-MOSFETs due to hot-carrier stress |
| Auteur: |
Starkov, I.A. Starkov, A.S. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 54 (2014) nr. 1 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 23 van 49 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |