|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
Accurate modeling of the influence of back gate bias and interface roughness on the threshold voltage of nanoscale DG MOSFETs |
| Auteur: |
Biswas, Abhijit Bhattacherjee, Swagata |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 53 (2013) nr. 3 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |