|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 38 van 44 gevonden artikelen
| Titel: |
Study of the breakdown failure mechanisms for power AlGaN/GaN HEMTs implemented using a RF compatible process |
| Auteur: |
Xie, Gang Xu, Edward Zhang, Bo Ng, Wai Tung |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 52 (2012) nr. 6 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 38 van 44 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |