|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 32 van 40 gevonden artikelen
| Titel: |
Reliability issues of double gate dielectric stacks based on hafnium dioxide (HfO2) layers for non-volatile semiconductor memory (NVSM) applications |
| Auteur: |
Mroczyński, Robert Beck, Romuald B. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 52 (2012) nr. 1 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 32 van 40 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |