|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 40 gevonden artikelen
| Titel: |
Investigation of the effect of temperature during off-state degradation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors |
| Auteur: |
Douglas, E.A. Chang, C.Y. Gila, B.P. Holzworth, M.R. Jones, K.S. Liu, L. Kim, Jinhyung Jang, Soohwan Via, G.D. Ren, F. Pearton, S.J. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 52 (2012) nr. 1 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 40 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |