|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13 van 40 gevonden artikelen
| Titel: |
Impact of gate placement on RF power degradation in GaN high electron mobility transistors |
| Auteur: |
Joh, Jungwoo del Alamo, Jesús A. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 52 (2012) nr. 1 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13 van 40 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |