|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 16 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Performance analysis of long Ge channel double gate (DG) p MOSFETs with high-k gate dielectrics based on carrier concentration formulation |
| Auteur: |
Bhattacherjee, Swagata Biswas, Abhijit |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 51 (2011) nr. 6 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 16 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |