|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 20 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
Structural advantages of rectangular-like channel cross-section on electrical characteristics of silicon nanowire field-effect transistors |
| Auteur: |
Sato, Soshi Kakushima, Kuniyuki Ahmet, Parhat Ohmori, Kenji Natori, Kenji Yamada, Keisaku Iwai, Hiroshi |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 51 (2011) nr. 5 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 20 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |