|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 29 gevonden artikelen
| Titel: |
Characteristics of the intrinsic defects in unintentionally doped 4H–SiC after thermal annealing |
| Auteur: |
Cheng, Ping Zhang, Yu-ming Zhang, Yi-men |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 51 (2011) nr. 3 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 29 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |