|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 96 van 140 gevonden artikelen
| Titel: |
NBTI degradation effect on advanced-process 45nm high-k PMOSFETs with geometric and process variations |
| Auteur: |
Hatta, S.F. Wan Muhamad Soin, N. Hadi, D. Abd Zhang, J.F. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 50 (2010) nr. 9-11 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 96 van 140 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |