|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 55 van 140 gevonden artikelen
| Titel: |
Experimental and simulated dc degradation of GaN HEMTs by means of gate-drain and gate-source reverse bias stress |
| Auteur: |
Di Lecce, Valerio Esposto, Michele Bonaiuti, Matteo Meneghesso, Gaudenzio Zanoni, Enrico Fantini, Fausto Chini, Alessandro |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 50 (2010) nr. 9-11 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 55 van 140 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |