Digitale Bibliotheek
Sluiten Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
 
<< vorige    volgende >>
     Tijdschrift beschrijving
       Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
         Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
           Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
                                       Details van artikel 42 van 140 gevonden artikelen
 
 
  Device reliability study of AlGaN/GaN high electron mobility transistors under high gate and channel electric fields via low frequency noise spectroscopy
 
 
Titel: Device reliability study of AlGaN/GaN high electron mobility transistors under high gate and channel electric fields via low frequency noise spectroscopy
Auteur: Rao, Hemant
Bosman, Gijs
Verschenen in: Microelectronics reliability
Paginering: Jaargang 50 (2010) nr. 9-11 pagina's 4 p.
Jaar: 2010
Inhoud:
Uitgever: Elsevier Ltd
Bronbestand: Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
 
 

                             Details van artikel 42 van 140 gevonden artikelen
 
<< vorige    volgende >>
 
 Koninklijke Bibliotheek - Nationale Bibliotheek van Nederland